トランジスタは、最新の半導体デバイスの基礎である。 コンピュータチップはトランジスタを通る電子の流れを制御する。 コンピュータの記憶密度および計算速度をさらに改善するためには、より小さなサイズのトランジスタユニットを開発することが急務である。 今日、マイクロエレクトロニクス技術は10nmのプロセスプロセスを踏襲しています。 アトミック限界や量子効果などの物理的なボトルネックがあるため、新しいプロセスノードを押し下げ続けることはますます困難になっています。 研究者は、半導体デバイスの性能を継続的に向上させるために、新しい選択肢を探しています。
ポストムーア時代の情報ストレージとロジックオペレーションの必要性に直面したスピントロニクスデバイスは、セルサイズ、不揮発性、低消費電力、高集積の次世代マイクロエレクトロニクスデバイスの開発のために幅広い開発を行っています速度。 研究の展望。 その中で、スピンバルブ（Spin Valve）は、様々なタイプのスピントロニクスデバイスのコアユニットであり、強磁性金属と非磁性中間層の2層からなるサンドイッチコア構造（FM1 / NM / FM2）偏光を回転させる。 電子は、2つの強磁性層の間で輸送され、その結果、デバイスの抵抗は、2つの強磁性層の相対的な向きによって変調される。 スピンバルブを用いた常温巨大磁気抵抗（GMR、1988）や室温トンネリング磁気抵抗（TMR、1995）素子は、高密度情報記憶素子や磁気ハードディスク、磁気ランダムアクセスメモリ、磁気センサ。 この記事では、フランスのA. FertとドイツのP.Grünbergの2人の科学者が、巨大磁気抵抗効果（GMR）の発見のために2007年のノーベル物理学賞を受賞しました。
Magnonは、Spin Waveで量子化された準粒子です。 これは、単一スピンフリッピングの角運動量を、変動の形で磁気システム全体に伝達することができる。 それゆえ、長距離高効率自己を行うことができます。最高の材料におけるスピン情報の伝播は、従来の電子スピンでは達成できない大きなエネルギー減衰と熱放散を伴わずに約1cmの長さに達することができますしたがって、これはさらに発展している。 磁気スピンベースのデバイスおよび回路は、研究者から広く注目されている。 最近、ドイツの研究チームは、これらの電流が一体型振幅ループでどのように形成され、2次元スケールでのみ要素に接続されるのかを最初にモデル化しました。 磁気スピンベースのロジック、ストレージ、スピントロニックデバイスの半導体デバイスやスピンバルブなどのさまざまな回路デバイスを実現するためには、Magnon Valveと呼ばれる基本的なコアユニットの開発が急務です。 様々なデバイスの特徴の磁気スピン情報の記憶および操作を達成する。
ウェブサイト：www.greatmagtech.com www.gme-magnet.com
： www.precastconcretemagnet.com sales02@greatmagtech.com
